收藏本站
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1805--1880 MHZ
-- 4 5
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
-- 7 5
1780
-- 8 5
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz AND 600 kHz (dBc)
1800 1820 1840 1860
-- 5 5
1880 1900 1920
-- 7 5
-- 4 5
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 5 0
-- 5 5
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
Figure 23. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
20 40 60 80
TC
=25_C
-- 8 5
-- 6 0
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 7 0
-- 7 5
-- 8 0
20
Figure 24. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
40 60 80
-- 6 5
f, FREQUENCY (MHz)
-- 5 0
-- 8 0
VDD
=28Vdc
IDQ
= 700 mA
f = 1960 MHz
Pout=60WAvg.
42 W Avg.
25 W Avg.
60 W Avg.
25 W Avg.
42 W Avg.
SR @ 400 kHz
SR @ 600 kHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA
f = 1840 MHz, EDGE Modulation
VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA
f = 1840 MHz, EDGE Modulation
TC
=25_C
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF6S18140HSR5 MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S
MRF6S19060GNR1 MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW
MRF6S19100GNR1 MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW
MRF6S19100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
MRF6S19120HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S
MRF6S19140HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S
MRF6S19200HSR5 MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780S
MRF6S20010GNR1 MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW
相关代理商/技术参数
MRF6S18100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18140HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18140HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S1900HSR3 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF6S19060GN 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S19060GN - Bulk